李在镕考察横滨封装研发,三星计划五年投400亿日元
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李在镕考察横滨封装研发,三星计划五年投400亿日元
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三星电子会长李在镕赴日本横滨先进封装研究中心考察下一代封装材料及工艺研发进展,并与当地研究人员讨论加强同日本半导体材料、零部件及设备企业的合作;三星计划自2024年起五年内向该中心投资400亿日元。 三星计划将该中心打造为全球先进封装研发中心,到2027年将当地研发人员扩大至100人以上,研究领域还将拓展至晶圆键合、玻璃基板等技术。
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最新进展11月1日 15:36
三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术,公司计划5年投资400亿日元报道时间线
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11月1日
- 财联社电报三星电子会长李在镕赴日本考察先进封装技术,公司计划5年投资400亿日元
三星电子会长李在镕赴日本横滨先进封装研究中心考察研发进展,并讨论加强与日本半导体材料、零部件及设备企业合作。三星电子计划自2024年起5年投资400亿日元,将该中心打造为全球先进封装研发中心。公司计划到2027年将当地研发人员扩大至100人以上,研究领域还将拓展至晶圆键合、玻璃基板等技术。
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