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三星得州第二厂产能获订单,将供AMD和英伟达

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AI 综述

三星电子计划利用美国得克萨斯州泰勒市第二座晶圆代工厂,为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片;该厂全部产能已获得订单,其中大部分来自AMD,但尚未动工。 该厂预计于2026年11月正式动工,将采用2纳米制程,占地约270万平方英尺,规模约为三星首座工厂的1.5倍,预计2029年2月开始安装设备、2030年启动量产。

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11月3日
  1. 财联社电报
    三星得州第二座晶圆厂将为AMD、英伟达生产高带宽内存基础裸片

    三星电子将利用美国得克萨斯州泰勒市第二座晶圆代工厂,为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。该厂预计本月正式动工,全部产能已获得订单,其中大部分来自AMD;将采用2纳米制程,占地约270万平方英尺,规模约为三星首座工厂的1.5倍。该厂预计于2029年2月开始安装设备,并于2030年启动量产。

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