三星得州第二座晶圆厂将为AMD、英伟达生产高带宽内存基础裸片

三星电子将利用美国得克萨斯州泰勒市第二座晶圆代工厂，为AMD和英伟达生产高带宽内存芯片的基础裸片。该厂预计本月正式动工，全部产能已获得订单，其中大部分来自AMD；将采用2纳米制程，占地约270万平方英尺，规模约为三星首座工厂的1.5倍。该厂预计于2029年2月开始安装设备，并于2030年启动量产。