康奈尔团队以掺硅氧化铝镓刷新半导体带隙纪录

美国康奈尔大学领导的研究团队在氧化铝镓薄膜中掺入硅，证明该材料在刷新半导体带隙纪录的同时，仍能保持稳定的导电调控能力，相关论文发表于《自然》杂志。 更宽的带隙有助于电子产品缩小体积、提高效率并承受更高电压，但也会增加控制材料导电性的难度。这项研究的突破在于同时实现更宽带隙与稳定的导电调控。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。