康奈尔大学团队以掺硅氧化铝镓薄膜刷新可调控导电性的半导体带隙纪录

美国康奈尔大学领导的研究团队证明，掺硅氧化铝镓薄膜可在刷新半导体带隙纪录的同时，保持稳定的导电调控能力。更宽带隙有助于电子产品缩小体积、提高效率并承受更高电压，但也使材料导电性更难控制；相关论文发表于新一期《自然》杂志。