华科唐江团队制成短波红外成像芯片
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华科唐江团队制成短波红外成像芯片
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AI 综述
华中科技大学唐江教授团队采用室温水溶液工艺，让硫化铅感光层直接生长在读出电路上，制成640×512像素短波红外成像芯片，成果已在《自然》在线发表。 测试显示，其光电二极管在室温下对2.5微米红外光的比探测率高于同波长商用铟镓砷探测器；芯片像素响应均匀性与商用铟镓砷芯片相当，并在不制冷、不补光条件下，拍下80℃至600℃物体的清晰红外图像。
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最新进展10月30日 20:54
华中科技大学唐江团队以室温水溶液工艺制成640×512像素短波红外芯片报道时间线
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10月30日
- 财联社电报华中科技大学唐江团队以室温水溶液工艺制成640×512像素短波红外芯片
华中科技大学唐江教授团队用室温水溶液工艺让硫化铅感光层直接生长在读出电路上，制成640×512像素短波红外成像芯片，成果于10月28日在《自然》在线发表。测试显示，光电二极管在室温下对2.5微米红外光的比探测率达到同类器件最高水平，高于同波长商用铟镓砷探测器，芯片像素响应均匀性与商用铟镓砷芯片相当。
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